战略预备队(J20763)

1. 核心技术学习：通过系统化培训与多岗位轮岗，掌握存储芯片设计、制造、测试全链路核心技术； 2. 项目实践攻关：参与前沿DRAM设计研发、DRAM良率提升攻关、新型存储器材料研发，新型存储技术和系统等关键课题，输出高价值技术方案； 3. AI应用开发：推动半导体制造AI应用开发，包括缺陷检测、良率分析与工艺优化，系统设计优化等，提升制程智能化水平； 4. 前沿工艺研发：以核心技术骨干角色主导或参与全球领先DRAM前沿工艺研发，推动存储技术创新与突破； 5. 技术交流与迭代：定期参与技术论坛与产业专家对话，复盘项目成果并迭代技术方案。 【任职要求】 1. 学历要求：博士； 2. 专业要求：微电子、电路设计、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业； 3. 其他要求： • 具有国家级奥赛金银牌获奖经历或所在专业领域突出成就（如国际顶级期刊论文发表经历）； • 具有开放思维与探索精神，能主动钻研技术难题并提出创新解决方案； • 具有追求卓越与持续拓展能力边界的行为表现，能通过快速学习适应新任务； • 具有跨学科应用研究经历（如AI结合半导体制造），能推动技术融合与创新。