研发良率提升(J20799)

1. 良率突破：主导前沿DRAM产品研发阶段的良率从0到1突破，协同团队攻克0良率技术瓶颈，推动产品良率逐步提升至可量产标准； 2. 根因定位：推动探究DRAM存储单元电学特性与制造工艺，电路设计，测试方案之间的内在关联，梳理多技术领域耦合规律并定位良率损失根因，落地针对性优化方案； 3. 技术协同：推动工艺，器件，设计，测试多环节的技术协同迭代，沉淀技术经验与方法论，助力前沿DRAM产品技术体系搭建。 【任职要求】 1. 学历要求：本科及以上； 2. 专业要求：半导体、微电子、电子工程、物理学、材料科学与工程； 3. 其他要求： • 具有逻辑思考与分析能力，能跨多个技术维度梳理关联规律并完成问题攻关； • 具有半导体器件物理或集成电路制造工艺基础知识，具有至少1个半导体相关项目或竞赛参与经验者优先； • 对DRAM存储器研发与良率提升方向具备强烈兴趣，愿意深耕国产存储自主研发事业。