器件研发(BJ)(J20821)

1. 逻辑器件开发：完成DRAM逻辑器件设计及工艺开发，确保器件性能满足设计规格； 2. 核心区器件优化：完成DRAM核心区器件设计及优化，提升存储密度与电性表现； 3. TCAD仿真分析：执行制程工艺TCAD仿真，为工艺参数优化和器件结构设计提供支撑； 4. 器件工艺开发：推进器件工艺开发，实现工艺整合与关键模块的稳定性； 5. 可靠性评估改进：实施先进DRAM可靠性评估与改进，保障器件长期工作稳定性。 【任职要求】 1. 学历要求：硕士及以上，博士优先； 2. 专业要求：微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业； 3. 其他要求： • 具有英语能力，能使用英语完成听说读写，通过CET-6； • 具有半导体存储相关课题研究或相关专利经验，能独立完成器件设计与工艺开发任务； • 具有学习能力与团队合作意识，能在跨部门协作中承受工作压力。