DRAM电路和特性分析工程师 -DRAM Circuit And Characteristic Analysis Engineer(J13161)

1. 根因分析与问题定位：主导新产品研发阶段的电路失效根因分析，深入理解电路功能与性能，制定有效的测试方法并提升测试覆盖率； 2. FIB方案设计与验证：主导FIB方案确认，定位电路问题原因，制定并验证改版措施，确保问题闭环； 3. 客退品问题分析：主导客退品问题分析，定位具体缺陷位置，输出分析报告并驱动设计或制程改善。 【任职要求】 1. 教育背景与专业知识：本科及以上学历，微电子、自动化、通信工程、电子信息、计算机及相关专业，具备扎实的半导体器件与集成电路基础； 2. 专业技能与资格：具备C语言或汇编语言编程能力，能完成测试脚本开发与数据分析，有电路设计基础、Verilog基础及电路仿真经验者优先； 3. 行业与专业经验：具有3年以上半导体或芯片相关领域工作经验，包括电路设计、测试或硬件开发经验，有DRAM/Flash/eMMC/UFS/PCIE/MIPI/AXI/复杂通讯协议等电路设计或测试经验者优先； 4. 项目/任务成果：能独立主导电路失效分析项目，运用FIB等分析手段定位问题并驱动改善措施落地； 5. 其他要求：具有结构化的问题推理与实验设计能力，能跨团队协作推进项目闭环并输出清晰的技术报告。