TCAD工程师-TCAD Engineer(J20687)

1. 集成仿真技术落地：主导晶圆堆叠/芯片堆叠混合键合3D集成场景下的TCAD仿真与设计工艺协同优化，针对混合键合界面、3D堆叠互连等关键结构，开展电学、热学、力学及可靠性多物理场建模仿真，支撑设计与工艺协同优化； 2. 模型校准与验证：主导3D集成TCAD模型校准与验证，基于晶圆级测试数据、工艺监控数据校准特定结构的TCAD仿真模型，建立模型与硬件在不同工艺角及应力条件下的相关性，保障仿真精度匹配量产要求，为互连结构的性能与良率评估提供数据依据； 3. 仿真流程搭建与自动化：建立3D集成TCAD仿真规范，定义工艺仿真与器件仿真最佳实践，开发并自动化仿真流程，支撑混合键合对准偏差、键合应力、电流拥挤、热串扰、TSV致应力等特殊场景的动态仿真，输出风险识别与优化建议； 4. 跨环节协同评估：联动工艺研发、芯片设计、特性建模及物理验证团队，参与3D堆叠工艺节点的设计工艺协同优化评估，基于仿真结果输出设计约束与工艺窗口优化建议，支撑性能、功耗、面积的综合指标达成； 5. 工具生态与知识沉淀：对接EDA工具伙伴、晶圆厂与材料供应商，参与下一代TCAD工具功能定义与验证，同步输出建模指南与参考用例，搭建TCAD知识库，沉淀技术专利并指导团队专业技术能力成长。 【任职要求】 1. 教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、电子工程、物理学、材料科学、集成电路设计等相关理工科专业； 2. 专业技能与资格：能使用主流TCAD工具（如Sentaurus、Silvaco等）独立完成器件、工艺及多物理场仿真建模，能使用TCL、Python或Perl等至少一种脚本语言完成仿真流程自动化开发与数据分析，了解SPICE模型、RC提取及芯片物理设计相关内容； 3. 行业与专业经验：具备2~8年半导体TCAD相关工作经验，熟悉先进半导体制造工艺、器件物理与可靠性基础理论，理解混合键合、TSV、芯片堆叠技术的基本原理优先； 4. 项目/任务成果：主导或核心参与过至少1项TCAD建模、先进集成仿真或设计工艺协同优化相关项目任务，能够形成完整的分析报告并推动跨团队行动计划落地； 5. 其他要求：具备良好的逻辑推理与分析能力，能在复杂场景中提炼关键变量并输出可执行的仿真或工艺方案，有较强的跨团队沟通与协作意识，能快速学习并导入新技术路线。