存储电性失效分析专家-DRAM Electrical Failure Analysis Expert(J18488)

1.主导DRAM电性失效分析及电路原理拆解，提供技术性指导，推动失效根因定位与闭环； 2.掌握DRAM测试pattern sequence原理及模拟验证方法，并能对团队进行技术性指导。 【任职要求】 1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子及相关专业，具备扎实的半导体器件与DRAM电路原理知识； 2.专业技能与资格：深入了解电性分析相关机台操作与原理；精通core timing及SA operation； 3.行业与专业经验：10年以上DRAM电性失效分析经验，熟悉DRAM电路模块功能，包括Fuse电路、array模块和periphy data path模块； 4.项目/任务成果：主导过至少2个DRAM电性失效分析项目，成功定位并闭环关键失效问题； 5.其他要求：具有技术指导能力，能主动识别技术瓶颈并推动团队解决。