器件物理可靠性(J14641)

1.针对3D NAND新技术开发可靠性测试方法，设计可靠性测试结构 2.研究存储整列、栅氧化层、MOS器件、金属互连等关键制程的可靠性问题 3.执行可靠性验证、评估和监控，评估工程变更和工程异常带来的可靠性风险 【任职要求】 学历要求：硕士及以上学历 专业要求：微电子/物理/材料等理工科专业 其它要求： 1.具备较强的半导体器件物理或非挥发存储器的基础知识 2.良好的英语听说读写能力（CET4及以上，CET6优先考虑） 3.较强的逻辑思维能力、学习能力、分析解决问题能力及抗压能力 4.具备较强的科学研究以及创新能力 5.积极主动，稳重踏实，工作严谨，责任心强