Memory Lead

负责SRAM等IP设计、存储阵列优化及良率提升，主导SRAM架构设计 【任职要求】 • 硕士及以上学历，微电子、集成电路等相关专业 • 8年以上存储器设计经验，3年以上团队管理经验 • 精通SRAM/RRAM存储单元及阵列设计 • 精通存储器测试、良率分析及可靠性设计 • 具备存储器与数字逻辑协同设计经验者优先